Discusión:Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

Mejor que borrado, ampliado bastante, pero no centrándose sólo en el audio. En ese caso, también habría que hacer artículos de otros tipos de transistores, como BJT y JFET.--juantxorena 11:18 6 feb 2006 (CET)

Estoy de acuerdo con lo último. --Matiasasb 14:21 28 feb 2006 (CET)

Me parece que es muy incompleto, por ejemplo le falta las gráficas de operación...

Hay articulos que explican mejor el tema en otros sites:::

Este artículo necesitaría un repaso serio. Aunque las cosas se entienden si se sabe cómo funciona el MOSFET, si es la primera vez que se lee sobre el tema resulta imposible enterarse de mucho...--Coren (discusión) 00:32 29 oct 2008 (UTC)

Pesimo Articulo

Construcción interna y polarizaciones

No hay polarizaciones del mosfet en esta página las cuales son importantes, y no tienen la construcción interna de dicho dispositivo.200.62.106.103 (discusión) 17:46 4 abr 2010 (UTC)

La explicación de la construcción interna ya fue agregada. --jjmontero9 (discusión) 19:48 28 mar 2012 (UTC)

Error en el apartado Conducción Lineal

hay un ERROR importante .... en el apartado CONDUCCION LINEAL.... deberia poner : " al polarizarse la puerta con una tension POSITIVA (nMOS) o NEGATIVA (pMOS) se crea una region de deplexión en la región que separa la fuente y el drenador" lo pone alreves y esta mal pues en Nmos la tension a aplicar en puerta siempre es POSITIVA(no negativa) cuando habla mas adelante en el mismo parrafo tambien esta equivocado pues deberia poner "portadores minoritarios HUECOS en zona N del pMOS, ELECTRONES en zona P del nMOS"

Es cierto, en un transistor pMOS el canal p se forma debido a la acción de los huecos, que son portadores minoritarios en un sustrato de tipo n. De manera similar, en un transistor nMOS el canal n se forma debido a la acción de los electrones, que son portadores minoritarios en el sustrato tipo p. Acabo de corregir el error en el texto del artículo. --jjmontero9 (discusión) 19:45 28 mar 2012 (UTC)

Traducción

Propongo la traducción desde el artículo en inglés, para mejorar la estructura general del artículo y agregar información detallada. Faltan referencias, las secciones actuales están incompletas y desordenadas. Sería importante conservar la información actual y unirla a la de la Wiki en inglés para contar con un artículo mucho más completo. --jjmontero9 (discusión) 16:51 28 mar 2012 (UTC)

Figura de NMOS en la región de saturación

La figura de NMOS en la región de saturación es incorrecta. Pone que al aplicar una tensión de drenador más alta, los electrones son atraídos con más fuerza hacia el drenador y el canal se deforma. En realidad el canal se deforma en sentido opuesto al descrito en la imagen, desapareciendo el canal de la zona cercana al drenador. En la versión en inglés la imagen utilizada es la correcta.--Zhisi (discusión) 19:31 9 ene 2015 (UTC)

Tienes razón, las figuras estaban incorrectas. Acabo de corregir las imágenes. Gracias! --jjmontero9 ^talk 10:12 9 ene 2017 (UTC)

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